ワイドギャップ半導体の製品一覧

光電気化学エッチングを施したp-GaN MOS 界面の特性に対する界面形成プロセスの影響
グローバルネット株式会社

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北京大学焦宜寧

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ワイドギャップ半導体SBD の高周波整流特性
グローバルネット株式会社

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大阪公大、大野 泰夫

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β-(Al0.17Ga0.83)2O3 電界効果トランジスタ(MESFET)の電気的特性評価
グローバルネット株式会社

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筑波大学 森田 亮

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