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- エッチングガス
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- 接着剤 接着テープ
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- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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β-(Al0.17Ga0.83)2O3 電界効果トランジスタ(MESFET)の電気的特性評価
筑波大、森田 燎
Ga2O3
基本情報
β型Ga2O3は、4.6〜4.9eVのバンドギャップと約8MV/cmの高い絶縁破壊電界を持つワイドギャップ半導体で、高出力デバイスに適している。Al原子を添加することでバンドギャップが拡大し、耐圧性が向上することが期待されている。β型(Al0.16Ga0.84)2O3を用いたMESFETは900V以上の破壊耐圧を示したが、β型Ga2O3チャネルMESFETと比較して電流特性が劣っていた。これはチャネル層の低移動度と高抵抗が原因と考えられている。そこで高濃度添加層と低濃度添加チャネル層を組み合わせることで接触抵抗を低減し、改善を図った。その結果β型(Al0.17Ga0.83)2O3層を用いたMESFETは、β-Ga2O3チャネルMESFETと同等の電流特性を示すことができ、電流値に大幅な改善が見られた。この研究はAl添加によるバンドギャップの拡大と接触抵抗の低減が、高出力デバイスの性能向上に寄与することを示している。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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