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［TOF-SIMS］飛行時間型二次イオン質量分析法

財団法人材料科学技術振興財団

試料表面の構造解析を行う分析手法です。

［TEM］透過電子顕微鏡法

財団法人材料科学技術振興財団

薄片化した試料に電子線を照射し、試料を透過した電子や散乱した電子を結像し、高倍率で観察する手法です。

［SEM］走査電子顕微鏡法

財団法人材料科学技術振興財団

電子線を試料に当てた際に試料から出てくる電子の情報を基に、試料の凹凸や組成の違いによるコントラストを得ることができる手法です。

［SIMS］二次イオン質量分析法

財団法人材料科学技術振興財団

イオンを検出し、各質量における検出量を測定することで、試料中に含まれる成分の定性・定量を行う手法です。

［XPS］X線光電子分光法

財団法人材料科学技術振興財団

Ｘ線照射により放出される光電子の運動エネルギー分布を測定し、試料表面（数nm程度の深さ）に存在する元素の種類・存在量・化学結合状態に関す…

［XRR］X線反射率法

財団法人材料科学技術振興財団

X線を試料表面に極浅い角度で入射させ、その反射強度を測定します。

［SSRM］走査型広がり抵抗顕微鏡法

財団法人材料科学技術振興財団

バイアスが印加された試料の表面を導電性探針で走査し、抵抗値の分布を二次元的に計測することで探針直下の広がり抵抗を可視化する手法です。

［NMR］核磁気共鳴分析

財団法人材料科学技術振興財団

磁場を与えられた状態の原子核に外部から電磁波を照射したときに、原子核がそれぞれの化学的環境に応じた特定の電磁波を吸収する現象（共鳴現象…

［OBIRCH］光ビーム加熱抵抗変動法

財団法人材料科学技術振興財団

光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗が変化することを利用して、異常箇所の特定を行う手法です。

［EMS］エミッション顕微鏡法

財団法人材料科学技術振興財団

半導体デバイスの異常動作に伴い発生する微弱な発光を検出することで、故障箇所を迅速に特定できる手法です。