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[SSRM]走査型広がり抵抗顕微鏡法

財団法人材料科学技術振興財団
最終更新日: 2025年02月14日

バイアスが印加された試料の表面を導電性探針で走査し、抵抗値の分布を二次元的に計測することで探針直下の広がり抵抗を可視化する手法です。

シリコン半導体素子を計測した場合、空間分解能に依存しますが、キャリア濃度10^16個/cm^3以上に感度があります。

・ナノメートルレベルでの局所抵抗測定が可能
・半導体のドーパント濃度分布計測に有効
・半導体の極性(p型/n型)の判定は不可
・定量評価は不可

基本情報

<適用例>
・局所抵抗測定
 シリコン半導体素子(MOSFET)の拡散層形状評価
 化合物半導体素子(LED・レーザー素子・パワーMOSFET)の拡散層形状評価
 化合物太陽電池, リチウムイオン二次電池の抵抗分布評価
 絶縁膜のリークスポット計測

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取扱企業

財団法人材料科学技術振興財団

業種:試験・分析・測定  所在地:東京都 世田谷区喜多見 1-18-6

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エレクトロニクス分野・マテリアル分野・ライフサイエンス分野などの製品・材料・素材の分析を、100種以上の分析手法を取り揃えて承っております。
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