窒素の製品一覧

ホモエピタキシャル成長n 型GaN において電子線照射によりEC − 1 eV 付近に形成される窒素変位関連トラップの熱アニール挙動
グローバルネット株式会社

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名大、遠藤 彗　堀田 昌宏(本研究に関する問合せ先)

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ホモエピタキシャル成長n 型GaN 中の格子間窒素が形成する2 つの準位の特定
グローバルネット株式会社

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名大、遠藤 彗　堀田 昌宏(本研究に関する問合せ先)

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1.36 A, 1 kV 耐圧 β-Ga2O3 double-implanted MOS トランジスタ
グローバルネット株式会社

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ノベルクリスタルテクノロジー、宮本 広信

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Mg イオン注入p-GaN におけるN イオン連続注入の補償ドナー濃度低減効果
グローバルネット株式会社

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名大、角田 健輔

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4、6インチウエハ向け洗浄装置
グローバルネット株式会社

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両面の水洗浄が可能な4、6インチウエハ向け洗浄装置

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