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- エッチングガス
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- 接着剤 接着テープ
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- その他フィルム
- マスク基板
- マスクブランクス
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- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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ホモエピタキシャル成長n 型GaN において電子線照射によりEC − 1 eV 付近に形成される窒素変位関連トラップの熱アニール挙動
名大、遠藤 彗 堀田 昌宏(本研究に関する問合せ先)
GaNデバイス
基本情報
本研究ではGaNデバイスの製造過程で生じる点欠陥とその影響について調査した。特に、窒素原子の変位に関連する欠陥を電子線照射によって導入した場合に観測される電子トラップEE2について、熱アニールに対する挙動を調べた。EE2のアニールレートの活性化エネルギーを様々な温度で評価し、2.0 eVと2.3 eVという値を得た。これらは第一原理計算で予測された値と近く、EE2の起源がNI (0/−)である可能性が高いことを示唆しています。この知見は、GaNデバイスの製造過程での欠陥低減のための指針となる。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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