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- 接着剤 接着テープ
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- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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1.36 A, 1 kV 耐圧 β-Ga2O3 double-implanted MOS トランジスタ
ノベルクリスタルテクノロジー、宮本 広信
Ga2O3
基本情報
β-Ga2O3は4.5 eVの大きなエネルギーバンドギャップと6 MV/cm以上の高い絶縁破壊電界を持つことから、SiCやGaNを超えるパワーデバイス用半導体材料として期待さている。しかしp型導電層の形成技術が未確立であるため、n型導電層を空乏化させるFin構造、窒素イオン注入による高抵抗ウエル層を用いるDI-MOS構造、トレンチMOS構造が基本セルとして利用されている。今回100 mm β-Ga2O3エピタキシャルウエハ上にステッパ露光法を用いてアンペア級β-Ga2O3 DI-MOSトランジスタを均一に作製した。ドナー濃度1.0×1016 cm－3、膜厚10 μmのウエハ上に1.66 mm × 1.31 mmのアクティブエリア、30 μmのセルピッチ、2 μmのチャネル長を持つトランジスタを作製し、しきい値電圧+4.7 V、オン抵抗3 Ω(65 mΩ・cm2)、耐圧1010 Vを達成した。ウエハ面内でのトランジスタの均一性も確認され、medium値1.36 Aのアンペア級トランジスタが作製できたことを報告する。今後はスイッチング特性の評価とデバイス特性の向上を目指す。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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