カテゴリー
- 真空バルブ（ゲートバルブ、ベンドロールバルブ）
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- 静電チャック
- 熱電対／パイロメータ
- センサ（温度、湿度、圧力、流量など）
- 各種保護材料（消耗材料）
- ヒータ（蒸着装置向け）
- サセプタ（半導体にも追加）
- マスフローコントローラ
- ガスバルブ
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- 薬液用ポンプ
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- SUS（半導体グレード）
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- リニアモータ搬送システム
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- めっき材料
- コーティング材料
- イオンドーピングガス
- 厚膜・その他レジスト
- エッチング液
- エッチングガス
- スラリー
- パッド
- パッドコンディショナ
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- 超純水・機能水
- サブストレート（パッケージ基板）／インターポーザ
- TAB・COFテープ 接着剤 接着テープ
- 接着剤 接着テープ
- アンダーフィル
- ボンディングワイヤ
- リードフレーム
- はんだボール
- 封止樹脂
- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
- バックグラインディングプロセス用テープ/ウエハレベルCSP用裏面保護フィルム
- ダイシング／ダイボンディング用フィルム
- その他フィルム
- マスク基板
- マスクブランクス
- フォトマスク
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- ガラス基板（OLED用）
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- Cr、ITO
- カラーフィルタ用色材（カラーレジスト/顔料）、インクジェット用インク
- フォトレジスト、現像液
- 配向膜材料（SiO2）：CVDガス材料、ポリイミド（樹脂）
- 液晶材料
- スペーサ材料（シリコン球）
- シール（封止）材（接着剤）／メインシール材／仮接着剤
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- ポリイミド樹脂
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- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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- 蒸着材料
Mg イオン注入p-GaN におけるN イオン連続注入の補償ドナー濃度低減効果
名大、角田 健輔
GaN
基本情報
本研究ではGaN 縦型パワーデバイスの開発に必要なMg イオン注入によるp型ドーピング技術の確立に向けて、窒素連続注入が重要であることを示している。超高圧アニールを用いてMgの活性化率を向上させることに成功したが、Mgが拡散してしまう問題が確認された。そのためアクセプタ濃度（Na）と補償ドナー濃度（Nd）の深さ分布を評価し、アニール時間が短くてもNdが低減することを窒素連続注入によって示し、最終的に この方法がNd低減に効果的であることが明らかにした。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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