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Mg イオン注入p-GaN におけるN イオン連続注入の補償ドナー濃度低減効果

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年08月29日

名大、角田 健輔

GaN

基本情報

 本研究ではGaN 縦型パワーデバイスの開発に必要なMg イオン注入によるp型ドーピング技術の確立に向けて、窒素連続注入が重要であることを示している。超高圧アニールを用いてMgの活性化率を向上させることに成功したが、Mgが拡散してしまう問題が確認された。そのためアクセプタ濃度(Na)と補償ドナー濃度(Nd)の深さ分布を評価し、アニール時間が短くてもNdが低減することを窒素連続注入によって示し、最終的に この方法がNd低減に効果的であることが明らかにした。

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グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F

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1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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