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- マスフローコントローラ
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- エッチングガス
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- サブストレート（パッケージ基板）／インターポーザ
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- 接着剤 接着テープ
- アンダーフィル
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- リードフレーム
- はんだボール
- 封止樹脂
- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
- バックグラインディングプロセス用テープ/ウエハレベルCSP用裏面保護フィルム
- ダイシング／ダイボンディング用フィルム
- その他フィルム
- マスク基板
- マスクブランクス
- フォトマスク
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- フォトレジスト、現像液
- 配向膜材料（SiO2）：CVDガス材料、ポリイミド（樹脂）
- 液晶材料
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- シール（封止）材（接着剤）／メインシール材／仮接着剤
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- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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ホモエピタキシャル成長n 型GaN 中の格子間窒素が形成する2 つの準位の特定
名大、遠藤 彗 堀田 昌宏(本研究に関する問合せ先)
GaNデバイス
基本情報
本研究ではGaNデバイスの製造過程で生じる点欠陥がデバイス特性に与える影響を理解するため、電子線照射を用いて窒素原子の変位に関連する欠陥を導入し、DLTS測定で電子トラップを評価した。EE1，EE2準位に加えて新たにEE3という準位を同定した。EE2とEE3はフルエンスの増加に伴って1:1の関係で増加するなどの実験事実より、EE2とEE3の起源がそれぞれNI (0/-)，NI (+/0)であることを示した。この研究はデバイスの製造過程で形成される欠陥の予測と評価に貢献するもので、GaNデバイスの性能向上に役立つ知見を提供する。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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