東京都の製品一覧

多結晶Ge 系IV 族半導体薄膜の電気的特性制御
グローバルネット株式会社

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筑波大、野沢 公暉

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Si 薄膜のレーザ結晶化における線状Agglomeration (IV)
グローバルネット株式会社

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Sasaki Consulting、佐々木 伸夫

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EID AlGaN/GaN MOS-HEMT のゲート電極直下の電子状態解析
グローバルネット株式会社

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三菱電機、南條 拓真

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酸素イオン注入n 型GaN で観測される実効ドナー密度変動と長い捕獲時定数を持つトラップの関係性
グローバルネット株式会社

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名大、林 慶祐 堀田 昌宏(本件に関わる問合せ先)

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貫通転位密度の異なる自立GaN 基板上にN/Mg イオン注入により作製したp-n 接合ダイオードの電気特性
グローバルネット株式会社

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名大、伊藤 佑太

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GeSiSn/GeSn 二重障壁構造で観測した負性微分抵抗と動作特性解析
グローバルネット株式会社

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名大、柴山 茂久

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HVPE 基板およびOVPE 基板上GaN エピ層の特性評価
グローバルネット株式会社

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名工大、古橋 優

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小電力応用に優れた針接触Ge ショットキーバリアダイオードのデバイス特性
グローバルネット株式会社

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東京工科大、安藤 陸

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Ni 超薄膜へのSiH4 照射によるシリサイド化反応制御
グローバルネット株式会社

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名大、谷田 駿

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高濃度n 型GaN スパッタ膜の表面形態および電気的特性の成膜温度依存性
グローバルネット株式会社

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名大、田中 希帆

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