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- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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フリーホイールダイオードを内蔵したソース接続分極超接合トランジスタの飽和電流増加構造の検討
名大、小久保 瑛斗
GaN
基本情報
GaN分極超接合（PSJ）トランジスタは1200V以上の絶縁破壊電圧を持つ高耐圧パワーデバイスとして期待されている。フリーホイールダイオード（FWD）を組み込んだ新しいソース接続PSJ（sPSJ）構造が提案さたが、PSJ構造端でのピンチオフにより飽和電流が減少する問題がある。この問題に対処するためPSJ構造を分割することで飽和電流を増加させることができることが示された。PSJ_FFを77%に減らすことで、飽和電流密度が179 mA/mmに達し、これは全面PSJ構造の約2.1倍の増加であった。耐圧は1450Vで、全面PSJ構造の80%程度であった。また、PSJ領域を分割しても逆導通が一定電圧で見られることが確認された。本研究は高耐圧デバイスの設計における重要な知見を提供する。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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