カテゴリー
- 真空バルブ（ゲートバルブ、ベンドロールバルブ）
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- テフロン（半導体グレード）
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- 静電チャック
- 熱電対／パイロメータ
- センサ（温度、湿度、圧力、流量など）
- 各種保護材料（消耗材料）
- ヒータ（蒸着装置向け）
- サセプタ（半導体にも追加）
- マスフローコントローラ
- ガスバルブ
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- テフロン（半導体グレード）
- SUS（半導体グレード）
- 大気ロボット
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- チラー
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- マスクブランクス
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- g・i線レジスト／現像液
- KrFレジスト／現像液
- ArFレジスト／現像液
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- ターゲット材
- CVD・ALD用成膜材料(High-k材料/low-k材料/その他）
- クリーニングガス
- めっき材料
- コーティング材料
- イオンドーピングガス
- 厚膜・その他レジスト
- エッチング液
- エッチングガス
- スラリー
- パッド
- パッドコンディショナ
- 洗浄液
- 超純水・機能水
- サブストレート（パッケージ基板）／インターポーザ
- TAB・COFテープ 接着剤 接着テープ
- 接着剤 接着テープ
- アンダーフィル
- ボンディングワイヤ
- リードフレーム
- はんだボール
- 封止樹脂
- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
- バックグラインディングプロセス用テープ/ウエハレベルCSP用裏面保護フィルム
- ダイシング／ダイボンディング用フィルム
- その他フィルム
- マスク基板
- マスクブランクス
- フォトマスク
- ガラス基板（液晶）
- ガラス基板（OLED用）
- Crガス、薬液、Si
- Cr、ITO
- カラーフィルタ用色材（カラーレジスト/顔料）、インクジェット用インク
- フォトレジスト、現像液
- 配向膜材料（SiO2）：CVDガス材料、ポリイミド（樹脂）
- 液晶材料
- スペーサ材料（シリコン球）
- シール（封止）材（接着剤）／メインシール材／仮接着剤
- 液晶注入口封止材（紫外線硬化樹脂材料）
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- 基板（仮配置基板）
- ポリイミド樹脂
- 正孔注入層材（有機膜）
- 正孔輸送層材（有機膜）
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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- 有機EL材料（蒸着用）
- 蒸着材料
GeSiSn/GeSn 二重障壁構造で観測した負性微分抵抗と動作特性解析
名大、柴山 茂久
テラヘルツ波IV族
基本情報
本研究は100 Gbpsを超える次世代の超高速無線通信システムの光源として、共鳴トンネルダイオード（RTD）が有望であることを示している。特にIV族三元混晶であるGeSiSnを用いた二重障壁構造が注目されており、Tsu-Esakiモデルに基づくシミュレーションで負性微分抵抗（NDR）の発現が可能であることが確認された。実際に試作されたデバイスでは、約1.5 Vと2.0 VでNDRが観測され、これは第1および第2の量子準位に由来すると考えられている。I-V特性の計算から、NDRの発現位置が不純物濃度に依存することが示された。この結果は、テラヘルツ波を利用した高速通信システムの開発に向けた重要な進歩を示している。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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