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GeSiSn/GeSn 二重障壁構造で観測した負性微分抵抗と動作特性解析

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

名大、柴山 茂久

テラヘルツ波IV族

基本情報

 本研究は100 Gbpsを超える次世代の超高速無線通信システムの光源として、共鳴トンネルダイオード(RTD)が有望であることを示している。特にIV族三元混晶であるGeSiSnを用いた二重障壁構造が注目されており、Tsu-Esakiモデルに基づくシミュレーションで負性微分抵抗(NDR)の発現が可能であることが確認された。実際に試作されたデバイスでは、約1.5 Vと2.0 VでNDRが観測され、これは第1および第2の量子準位に由来すると考えられている。I-V特性の計算から、NDRの発現位置が不純物濃度に依存することが示された。この結果は、テラヘルツ波を利用した高速通信システムの開発に向けた重要な進歩を示している。

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グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F

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1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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