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Si 薄膜のレーザ結晶化における線状Agglomeration (IV)

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

Sasaki Consulting、佐々木 伸夫

ナノ加工レーザー加工

基本情報

 CWレーザラテラル結晶化(CLC)技術により、SiO2上に(100)配向でGrain-Boundary-Free(GB-Free)のSi薄膜を室温基板で成長させることが可能であり、これによりmonolithic三次元ICへの応用が期待されている。この技術はCMOSデバイスにも適用可能で、PI基板上でも(100)結晶を得ることができる。CLCパワーの大きな領域では直線状のagglomerationが観察され、これは溶融ゾーン内のvoidの運動の痕跡と考えられる。レーザーパワーが最適条件に近い場合、発生したvoidはすぐに消滅し、局在したgrooveが形成される。

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グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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