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印刷とパルスレーザーアニールによるGe 基板上へのGeSn 薄膜成長

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

名大、佐藤 剛志

シゲスン

基本情報

 SiGeSn混晶薄膜は、光学的・電気的特性の向上が期待されており、特に直接遷移化や高キャリア移動度が注目されている。我々の研究では、Al-Geペーストを用いた新しいSiGe薄膜成長法を開発した。この方法では、Snの平衡固溶限を超えるSiGeSn薄膜を形成するために、パルスレーザーアニール(PLA)を利用している。PLAによる非平衡プロセスの検証結果から、GeSn薄膜はSn固溶量が平衡固溶限を超え、歪み緩和率が広範囲に分布していることが明らかになった。これにより、Sn添加による高機能なIV族混晶薄膜の形成が期待される。

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グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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