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EID AlGaN/GaN MOS-HEMT のゲート電極直下の電子状態解析

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

三菱電機、南條 拓真

GaNHEMT

基本情報

 新規のプレーナ型Extrinsically electron Induced by Dielectric (EID) AlGaN/GaN MOS-HEMTは、簡単な製造プロセスとドライエッチングによるダメージの心配がないため、信頼性が高く、高速で高出力の電力変換スイッチングデバイスとして期待されている。このデバイスは400V/10Aのスイッチング動作を実現しているが、しきい値が0.5~0.9Vと低く、パワースイッチング用途には不十分である。Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy (HAXPES)による分析では、Al2O3膜を堆積することでN 1sスペクトルが高エネルギー側にシフトし、2DEGを誘起する効果があることが示された。500℃の熱処理によりスペクトルがさらにシフトし、2DEGの増加が見込まれるが、SiO2膜ではこの効果は見られなかった。EID-HEMTのしきい値をさらに向上させるためには、2DEGを誘起しない新しい誘電膜や堆積プロセスの開発が必要である。

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グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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