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酸素イオン注入n 型GaN で観測される実効ドナー密度変動と長い捕獲時定数を持つトラップの関係性

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

名大、林 慶祐 堀田 昌宏(本件に関わる問合せ先)

GaNデバイス

基本情報

 GaN縦型DMOSFETの開発において、セルピッチの縮小によるJFET抵抗の増加が問題となっている。この問題に対処するため、酸素イオン注入によるn型ドーピングが試みられているが、実効ドナー密度ND

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グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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