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- 接着剤 接着テープ
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- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
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- マスク基板
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- 液晶材料
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- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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AlGaN/GaN HEMT 動作下におけるナノ秒応答格子変形の支配因子の解析
阪大、山口将矢 酒井 朗 ら
窒化物半導体
基本情報
AlGaN/GaN HEMTデバイスでは、動作時の電圧印加による逆圧電効果と自己発熱による熱膨張が格子歪とデバイス劣化を引き起こすとされている。本研究ではSPring-8のナノビームX線回折を使用し、HEMTデバイスの動作中に生じる局所的な格子変形の動的挙動を解析した。電圧パルスの立ち上りと共にナノ秒オーダーで格子歪が増大し、位置依存性があることが観察された。有限要素シミュレーションにより、格子歪の主要な要因は逆圧電成分であり、熱膨張成分が歪の立ち上がりに影響していることが明らかになった。さらに、熱膨張が格子歪の位置依存性に重要な寄与をしていることが示唆された。この結果はHEMTデバイスの格子変形の理解と改善に役立つであろう。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 港区中央 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
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