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多結晶Ge 系IV 族半導体薄膜の電気的特性制御

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

筑波大、野沢 公暉

Ge薄膜

基本情報

 ゲルマニウム(Ge)は電子・光学デバイスに適した物性を持ち、絶縁体上の多結晶Ge薄膜合成が注目されているが、これまでの課題は高密度な結晶粒界とアクセプタ欠陥による電気特性の制御の困難さであった。研究では、以下の成果が得られた。1)多結晶Ge薄膜のn型伝導制御と世界最高の電子移動度(450 cm²/Vs)を実現、V族元素ドーピングとSn添加により、大粒径化と高移動度を達成した。2)水素パッシベーションにより、多結晶Ge薄膜のアクセプタ欠陥を補償し、正孔密度を劇的に低減、低温熱処理により、低キャリア密度と高移動度を両立した。3)SiGe薄膜の低温高濃度ドーピングに成功し、二次電池負極としての応用を実証、ナノ構造化による特性向上も達成した。これらの成果は、新規デバイスの創出に向けたGe系半導体材料の多結晶薄膜研究の進展を示している。

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1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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