カテゴリー
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- RF電源／その他電源
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- 熱電対／パイロメータ
- センサ（温度、湿度、圧力、流量など）
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- ヒータ（蒸着装置向け）
- サセプタ（半導体にも追加）
- マスフローコントローラ
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- 薬液用ポンプ
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- SUS（半導体グレード）
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- ArFレジスト／現像液
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- ターゲット材
- CVD・ALD用成膜材料(High-k材料/low-k材料/その他）
- クリーニングガス
- めっき材料
- コーティング材料
- イオンドーピングガス
- 厚膜・その他レジスト
- エッチング液
- エッチングガス
- スラリー
- パッド
- パッドコンディショナ
- 洗浄液
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- サブストレート（パッケージ基板）／インターポーザ
- TAB・COFテープ 接着剤 接着テープ
- 接着剤 接着テープ
- アンダーフィル
- ボンディングワイヤ
- リードフレーム
- はんだボール
- 封止樹脂
- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
- バックグラインディングプロセス用テープ/ウエハレベルCSP用裏面保護フィルム
- ダイシング／ダイボンディング用フィルム
- その他フィルム
- マスク基板
- マスクブランクス
- フォトマスク
- ガラス基板（液晶）
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- Crガス、薬液、Si
- Cr、ITO
- カラーフィルタ用色材（カラーレジスト/顔料）、インクジェット用インク
- フォトレジスト、現像液
- 配向膜材料（SiO2）：CVDガス材料、ポリイミド（樹脂）
- 液晶材料
- スペーサ材料（シリコン球）
- シール（封止）材（接着剤）／メインシール材／仮接着剤
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- 偏光フィルム
- 基板（仮配置基板）
- ポリイミド樹脂
- 正孔注入層材（有機膜）
- 正孔輸送層材（有機膜）
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
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- 有機EL材料（蒸着用）
- 蒸着材料
多結晶Ge 系IV 族半導体薄膜の電気的特性制御
筑波大、野沢 公暉
Ge薄膜
基本情報
ゲルマニウム（Ge）は電子・光学デバイスに適した物性を持ち、絶縁体上の多結晶Ge薄膜合成が注目されているが、これまでの課題は高密度な結晶粒界とアクセプタ欠陥による電気特性の制御の困難さであった。研究では、以下の成果が得られた。１）多結晶Ge薄膜のn型伝導制御と世界最高の電子移動度（450 cm²/Vs）を実現、V族元素ドーピングとSn添加により、大粒径化と高移動度を達成した。２）水素パッシベーションにより、多結晶Ge薄膜のアクセプタ欠陥を補償し、正孔密度を劇的に低減、低温熱処理により、低キャリア密度と高移動度を両立した。３）SiGe薄膜の低温高濃度ドーピングに成功し、二次電池負極としての応用を実証、ナノ構造化による特性向上も達成した。これらの成果は、新規デバイスの創出に向けたGe系半導体材料の多結晶薄膜研究の進展を示している。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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