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HVPE 基板およびOVPE 基板上GaN エピ層の特性評価

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

名工大、古橋 優

GaNデバイス

基本情報

 本研究ではGaNエピ層の基板としてハイドライド気相成長(HVPE)から酸化物気相成長(OVPE)に変更したサンプルの電導度変調の可能性をI-V特性から検討した。フォトルミネッセンス(PL)測定により、OVPE基板で成長したエピ層が長いキャリア寿命を持つことが示され、これは欠陥が少ないことを意味する。SBDのI-VおよびC-V測定からは、HVPEとOVPE基板サンプル間で顕著な電気特性の差は見られず、ドナー濃度の結果はエピ層の抵抗が基板抵抗よりも大きいことを示している。これらの結果からOVPE基板を使用することで、より優れた電気特性を持つGaNエピ層が得られる可能性がある。

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グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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