半導体の製品一覧

拡張伝送線モデル(TLM)法を⽤いた熱電半導体の接触抵抗の精密測定
グローバルネット株式会社

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京都工芸繊維大、桂 章皓

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GaN 自立基板上に作製したmist-Al2O3/n-GaN 構造の評価
グローバルネット株式会社

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熊本大、谷田部 然治

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Improved quality and interface of Al2O3 towards quiet Ge-based spin qubit environment
グローバルネット株式会社

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東工大、Chutian Wen

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[第15回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] Si0.1Ge0.9における室温スピン伝導の歪み効果
グローバルネット株式会社

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阪大、内藤 貴大

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[第15回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演] ウエハ接合を用いた3D 集積と今後の展望
グローバルネット株式会社

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東京エレクトロン、永野 風矢

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光学干渉非接触温度測定法(OICT)を用いた有機層/半導体界面の過渡熱伝導の測定
グローバルネット株式会社

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広大、Yu Jiawen

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パワー半導体、歴史、発展、将来展望
グローバルネット株式会社

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富士電機、藤平 龍彦

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光電気化学エッチングを施したp-GaN MOS 界面の特性に対する界面形成プロセスの影響
グローバルネット株式会社

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北大、焦 一寧

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二次元電子ガスを有さない薄層AlGaN/GaNヘテロ構造へのオーミック接触に対する多端子ホール測定
グローバルネット株式会社

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アドバンテスト研究所、瓜生 和也

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多端子C–V 法を用いたAlSiO/AlN/p 型GaN-MOSFET の禁制帯中準位の評価
グローバルネット株式会社

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豊田中研、成田 哲生

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