半導体用語集
ランプアニール装置
英語表記：lamp anneal system
加熱源にハロゲンなどランプを用いて直接にウェハを高速加熱するコールドウォールタイプ熱処理装置で、非常に高速での昇降温が可能である。この特性を用いてRTO（Rapid Thermal Oxidation）、RTA（Rapid Thermal Anneal）など、高温・短時間での酸化・拡散処理に利用される。
昨今の微細化に伴い複雑な多層膜構造を持つ半導体の製造工程においては、トランジスタのゲート電極がメタル化するなど比較的低温で成膜される層が増えてきている。このためこの後に行われる熱処理工程には、この低温成膜層の劣化を防ぐためにできる限り低温、または高温・短時間処理が行われることが求められる。このニーズに従来方式の酸化・拡散炉では対応しきれない場合、1,000℃/min で高速に昇降温可能なランプアニール装置が使用されている。
具体的な処理用途としては、主にトランジスタ形成におけるS/D（Source/Drain）へのイオン注入後、ドーパントの活性化のために行われるアニール処理がある。この工程は昨今の微細化された半導体においては、ゲート電極形成後に行われるのが一般的であるために、ランプアニール装置の短時間処理ニーズがある。
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半導体製造装置・試験／検査装置・関連部品 › 成膜装置 › RTP装置
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