半導体用語集
階段接合、傾斜接合
英語表記：step junction, graded junction
p型半導体とn型半導体が接するpn接合において、p型領域ではアクセプタ密度が一定、かつn型領域ではドナー密度が一定で、pn接合の界面で不純物密度が急峻に階段状に変化している場合を階段接合と呼ぶ。この時、pn接合付近で、伝導電子と正孔が拡散して対消滅する空乏層（空間電荷領域）が形成されるが、空乏層のp型領域での幅とn型領域での幅の比はアクセプタとドナーの密度の比で決まる。空乏層中での電荷密度は、p型領域とn型領域において、それぞれ負の一定値と正の一定値となる。したがって、誘起される電界は、空乏層の両端で0になり接合界面で絶対値が最大になる。一般に、デバイスで用いられるpn接合ではアクセプタかドナーのどちらかの密度がもう一方とくらべてほとんど無視できる場合が多い。その場合には、どちらかの領域における不純物密度を0として扱えるため、片側階段接合と呼ぶ。
pn接合において，p型領域からn型領域に向かってアクセプタ密度が直線状に減少し、p型領域からn型領域に向かってドナー密度が直線状に増加している場合を、傾斜接合と呼ぶ。この時電荷密度は、p型の空乏層の終端で最小、接合界面で0、n型空乏層の終端で最大となる。
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