デバイスの製品一覧
セミナー「AI時代の先端半導体デバイスと配線技術」
グローバルネット株式会社
本セミナーでは、2nm世代の先端ロジックデバイス技術、AI時代の微細配線技術、3D NANDフラッシュメモリーの配線形成技術、さらに最先端デバイス…
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量子補正モンテカルロシミュレーションによるInAsSb HEMT の特性予測
グローバルネット株式会社
東理大先進工、児玉 直也
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UV/Dry Air 処理による半導体基板上フッ素系ポリマー膜の除去
グローバルネット株式会社
熊大院自、小石 航平
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4H-SiC への<0001>方向チャネリングイオン注入:Si 面とC 面は同じか?
グローバルネット株式会社
名工大、加藤 正史
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GaN npn 構造の電流-電圧特性の解析
グローバルネット株式会社
名大未来研、岡 徹
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MOSFET雑?の広帯域計測とその温度依存性に関する考察
グローバルネット株式会社
(株)デバイスラボ、??利 健治
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ハイブリッド・ボンディングを適用した3 次元フラッシュメモリにおける貼り合わせ界面空隙の内圧低減技術開発
グローバルネット株式会社
キオクシア株式会社、大形 彩斗
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次世代配線材料としてのRu 薄膜の特性評価と密着性改善
グローバルネット株式会社
慶大理工、林 凌佑
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シリコン薄膜スーパージャンクション構造を用いた横型パワーMOSFET
グローバルネット株式会社
東大生研、李 珍秀
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実験室系HAXPES を用いた電圧印加オペランド測定の
MOS 構造における不純物濃度依存性の解析
グローバルネット株式会社
明治大理工、箕輪 卓哉
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