アクティベーションの製品一覧
フラッシュランプアニールによるエピタキシャルSi:P 層の再活性化
グローバルネット株式会社
株式会社SCREEN セミコンダクターソリューションズ、植野 雄守
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GaN npn 構造の電流-電圧特性の解析
グローバルネット株式会社
名大未来研、岡 徹
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プラズマ活性化による表面改質とウエハ接合時の挙動解析
グローバルネット株式会社
横浜国大、尾形 崚太
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低温ハイブリッド接合応用に向けたSiCN 膜の界面特性解析
グローバルネット株式会社
横浜国大、佐藤 亮輔
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ホモエピタキシャル成長n 型GaN において電子線照射によりEC − 1 eV 付近に形成される窒素変位関連トラップの熱アニール挙動
グローバルネット株式会社
名大、遠藤 彗 堀田 昌宏(本研究に関する問合せ先)
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電流狭窄層に高抵抗歪超格子層を用いたSi 基板上AlGaN/GaN 縦型デバイス
グローバルネット株式会社
名工大、久保 俊晴
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KrF エキシマレーザーによるβ-Ga2O3 へのSn ドーピング
グローバルネット株式会社
九大、別府 美彩
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Mg イオン注入p-GaN におけるN イオン連続注入の補償ドナー濃度低減効果
グローバルネット株式会社
名大、角田 健輔
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