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KrF エキシマレーザーによるβ-Ga2O3 へのSn ドーピング

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年08月30日

九大、別府 美彩

Ga2O3

基本情報

 β-Ga2O3は、4H-SiCやGaNよりも大きなバンドギャップと絶縁破壊電界を持つため、次世代パワーデバイスの材料として期待されている。従来のイオン注入法に代わる新しいドーピング技術として、レーザードーピング法が提案されており、この方法はドーパントを含む薄膜を基板に堆積させ、レーザー照射によりドーパントを基板に注入し、同時に局所的に活性化する。これにより基板全体を高温でアニールする必要がなくなり、プロセスの柔軟性が向上する。またレーザーのフルエンスを調整することで、Snの注入深さを制御できることが示されている。この技術は基板表面の浅い領域への高濃度ドーピングを可能にし、β-Ga2O3へのSnドーピングに成功した。これはパワーデバイスの製造における新たな可能性を開くものでる。

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グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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