カテゴリー
- 真空バルブ（ゲートバルブ、ベンドロールバルブ）
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- RF電源／その他電源
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- ターボ分子ポンプ
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- センサ（温度、湿度、圧力、流量など）
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- ヒータ（蒸着装置向け）
- サセプタ（半導体にも追加）
- マスフローコントローラ
- ガスバルブ
- 薬液バルブ
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- AｒF液浸レジスト／現像液
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- ターゲット材
- CVD・ALD用成膜材料(High-k材料/low-k材料/その他）
- クリーニングガス
- めっき材料
- コーティング材料
- イオンドーピングガス
- 厚膜・その他レジスト
- エッチング液
- エッチングガス
- スラリー
- パッド
- パッドコンディショナ
- 洗浄液
- 超純水・機能水
- サブストレート（パッケージ基板）／インターポーザ
- TAB・COFテープ 接着剤 接着テープ
- 接着剤 接着テープ
- アンダーフィル
- ボンディングワイヤ
- リードフレーム
- はんだボール
- 封止樹脂
- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
- バックグラインディングプロセス用テープ/ウエハレベルCSP用裏面保護フィルム
- ダイシング／ダイボンディング用フィルム
- その他フィルム
- マスク基板
- マスクブランクス
- フォトマスク
- ガラス基板（液晶）
- ガラス基板（OLED用）
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- Cr、ITO
- カラーフィルタ用色材（カラーレジスト/顔料）、インクジェット用インク
- フォトレジスト、現像液
- 配向膜材料（SiO2）：CVDガス材料、ポリイミド（樹脂）
- 液晶材料
- スペーサ材料（シリコン球）
- シール（封止）材（接着剤）／メインシール材／仮接着剤
- 液晶注入口封止材（紫外線硬化樹脂材料）
- 偏光フィルム
- 基板（仮配置基板）
- ポリイミド樹脂
- 正孔注入層材（有機膜）
- 正孔輸送層材（有機膜）
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 高分子有機EL材料
- 有機EL材料（蒸着用）
- 蒸着材料
電流狭窄層に高抵抗歪超格子層を用いたSi 基板上AlGaN/GaN 縦型デバイス
名工大、久保 俊晴
GaN
基本情報
GaN系縦型デバイスにおいて、再成長型CAVET（Current Aperture Vertical Electron Transistor）では、p-GaNが電流狭窄層（Current Blocking Layer: CBL）として主に使用されている。しかしp-GaNの活性化が難しく、CBLの導通やMgの拡散による2次元電子ガス（2DEG）の劣化、Mgのメモリー効果などの問題がある。そこでp-GaNの代わりに高抵抗の歪超格子層（Strained Layer Superlattice: SLS）を使用し、Si基板上にAlGaN/GaNヘテロ構造を再成長させてCAVETを作製し、その電気特性評価を行った。再成長層の電気特性の温度依存性を含め、作製したSi基板上のCAVETの電気特性を報告しる。SLSをCBLとして使用することにより、2DEGの劣化やCBLにおける導通が改善されたと考える。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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