半導体用語集
リテンション
英語表記：retention
データ(分極)保持特性。メモリとしてはデータ保持特性を示す。DRAMの場合はキャパシタに蓄積された電荷が放電するまでの時間をいい、リフレッシュレートを決める特性である。不揮発性メモリにおいては、 データを書き込んで保持した後に、そのデータの読み出しまたは再書き込みができるかどうかを判別し、保持できた時間のことをいう。通常、リテンションは温度により加速されるため、各温度における保持特性を測定し、活性化エネルギーを求めて温度加速試験を行う。強誘電体メモリのデータ保持特性は大きく三つのモードに分けられる。ーつは単純なデータ保持でありデータの長時間保持後の読み出しで、分極保持特性(分極の方向・大きさの保持)に依存するものである(広義では後のSSリテンションに含まれる)。
あとの二つはデータ保持後の再書き込みにおける特性で、SS (Same State) リテンションとOS (Opposite State) リテンションである。SSリテンションは保持したデータと同じデータを書きこんで読み出す時の特性である。OSリテンションは保持したデータと逆方向のデータを書き込んで読み出す時の特性である。これらは、膜特性におけるインプリント現象の評価となる。インプリントによる劣化が激しいと、通常OSリテンション特性が悪くなる。
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