半導体用語集
データリテンションテスト
英語表記：data retension test
主にSRAMにおけるバッテリバックアップ動作のテストで、書込み後に電源電圧を下げ数秒から数分経過後、電圧を戻してデータの保持を確認する。テスト時間を要するため、テストバーンイン装置を利用してバーンイン中に合わせて行うことがある。主に低温時に不良が発生する傾向にある。
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