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低温ハイブリッド接合応用に向けたSiCN 膜の界面特性解析

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

横浜国大、佐藤 亮輔

ハイブリッド接合

基本情報

 チップレット集積技術による省電力効果の実現に向けて、縦方向配線ピッチのさらなる縮小が求められている。この目標を達成するために有望な技術がハイブリッド接合であり、SiO2に代わる新しい接合絶縁膜としてSiCNが注目されている。SiCNは低温熱処理でも高い接合強度を実現し、ボイドの抑制やCuの拡散防止にも効果的である。本研究では、PECVD法でSiCNを成膜し、CMP研磨、O2またはN2プラズマによる表面活性化を行った後、直接接合および接合後熱処理を行った。その結果、N2プラズマで活性化したサンプルが低温熱処理で高い接合強度を示すことがわかった。これは、N2プラズマが接合面の信頼性を高めるのに適していることを示唆している。

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業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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