カテゴリー
- 真空バルブ（ゲートバルブ、ベンドロールバルブ）
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- 熱電対／パイロメータ
- センサ（温度、湿度、圧力、流量など）
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- ヒータ（蒸着装置向け）
- サセプタ（半導体にも追加）
- マスフローコントローラ
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- テフロン（半導体グレード）
- SUS（半導体グレード）
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- ターゲット材
- CVD・ALD用成膜材料(High-k材料/low-k材料/その他）
- クリーニングガス
- めっき材料
- コーティング材料
- イオンドーピングガス
- 厚膜・その他レジスト
- エッチング液
- エッチングガス
- スラリー
- パッド
- パッドコンディショナ
- 洗浄液
- 超純水・機能水
- サブストレート（パッケージ基板）／インターポーザ
- TAB・COFテープ 接着剤 接着テープ
- 接着剤 接着テープ
- アンダーフィル
- ボンディングワイヤ
- リードフレーム
- はんだボール
- 封止樹脂
- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
- バックグラインディングプロセス用テープ/ウエハレベルCSP用裏面保護フィルム
- ダイシング／ダイボンディング用フィルム
- その他フィルム
- マスク基板
- マスクブランクス
- フォトマスク
- ガラス基板（液晶）
- ガラス基板（OLED用）
- Crガス、薬液、Si
- Cr、ITO
- カラーフィルタ用色材（カラーレジスト/顔料）、インクジェット用インク
- フォトレジスト、現像液
- 配向膜材料（SiO2）：CVDガス材料、ポリイミド（樹脂）
- 液晶材料
- スペーサ材料（シリコン球）
- シール（封止）材（接着剤）／メインシール材／仮接着剤
- 液晶注入口封止材（紫外線硬化樹脂材料）
- 偏光フィルム
- 基板（仮配置基板）
- ポリイミド樹脂
- 正孔注入層材（有機膜）
- 正孔輸送層材（有機膜）
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 高分子有機EL材料
- 有機EL材料（蒸着用）
- 蒸着材料
フラッシュランプアニールによるエピタキシャルSi:P 層の再活性化
株式会社SCREEN セミコンダクターソリューションズ、植野 雄守
エピタキシャル薄膜
ソース/ドレイン形成
基本情報
エピタキシャル技術をソース/ドレイン形成に応用すると、高い活性化濃度を実現し、寄生抵抗を低減できるが、製造過程での熱負荷により不活性化が問題となる。本研究では、リン（P）をドープしたSi:Pエピタキシャル薄膜の不活性化挙動と、フラッシュランプアニール（FLA）を用いた再活性化処理を検討した。実験では、異なる温度条件で熱処理を行い、FLAとRTAによる活性化効果を比較。結果、FLA（1050℃）はRTA（900℃）より10％高い活性化レベルを示し、低熱履歴での活性化に有用な技術であることが示された。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 港区中央 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2025年には創業35年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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フラッシュランプアニールによるエピタキシャルSi:P 層の再活性化
