電子の製品一覧
酸化抑制プロセスによる高濃度ボディ層を有するSiC(0001)
グローバルネット株式会社
京大、立木 馨大
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等電子トラップ援用トンネルFET 型量子ドットの高温動作条件
グローバルネット株式会社
産総研、飯塚 将太
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光電気化学エッチングを施したp-GaN MOS 界面の特性に対する界面形成プロセスの影響
グローバルネット株式会社
北大、焦 一寧
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二次元電子ガスを有さない薄層AlGaN/GaNヘテロ構造へのオーミック接触に対する多端子ホール測定
グローバルネット株式会社
アドバンテスト研究所、瓜生 和也
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ホモエピタキシャル成長n 型GaN において電子線照射によりEC − 1 eV 付近に形成される窒素変位関連トラップの熱アニール挙動
グローバルネット株式会社
名大、遠藤 彗 堀田 昌宏(本研究に関する問合せ先)
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Si 系ナノ薄膜の微細レーザー加工
グローバルネット株式会社
東北大、上杉 祐貴
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多端子C–V 法を用いたAlSiO/AlN/p 型GaN-MOSFET の禁制帯中準位の評価
グローバルネット株式会社
豊田中研、成田 哲生
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多結晶Ge 系IV 族半導体薄膜の電気的特性制御
グローバルネット株式会社
筑波大、野沢 公暉
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EID AlGaN/GaN MOS-HEMT のゲート電極直下の電子状態解析
グローバルネット株式会社
三菱電機、南條 拓真
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小電力応用に優れた針接触Ge ショットキーバリアダイオードのデバイス特性
グローバルネット株式会社
東京工科大、安藤 陸
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