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小電力応用に優れた針接触Ge ショットキーバリアダイオードのデバイス特性

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

東京工科大、安藤 陸

エネルギーハーベスティング

基本情報

 現在のエネルギー効率と地球温暖化防止の課題に対応するため、省電力な半導体デバイスの開発が求められていおり、本研究ではエネルギーハーベスティング技術として知られるレクテナや低電力電子システムの開発に焦点を当てている。特に、Geショットキーバリアダイオード(SBD)の針接触型が小電力での利用に適していることを発見した。針接触型1N60 SBDは接合型1N60 SBDよりもしきい値が低く、小電力応用に有効です。I-V特性の比較とフィッティング解析を通じて、針接触型SBDのショットキーバリアハイトが接合型よりも低いことが明らかになった。これは、針接触型SBDの電極面積が非常に小さく、表面ポテンシャルの影響を強く受けるためと考えられる。この発見は、小電力で動作する新しい半導体デバイスの設計に役立つ可能性がある。

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業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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