カテゴリー
- 真空バルブ（ゲートバルブ、ベンドロールバルブ）
- オーリング
- シール／フランジ
- 真空開閉シャッタ
- ステージ（リニアモータ）
- リニアモータ駆動システム
- 静電チャック
- 熱電対／パイロメータ
- サセプタ
- センサ（温度、湿度、圧力、流量など）
- 各種保護材料（消耗材料）
- マスフローコントローラ
- ガスバルブ
- 薬液バルブ
- キャピラリー
- 薬液用ポンプ
- テフロン（半導体グレード）
- SASU（半導体グレード）
- 大気ロボット
- 真空ロボット
- リニアモータ搬送システム
- 制御ボード
- 制御用PLC（国内供給）
- 制御用パソコン（国内）
- モータ／サーボモータ
- RF電源／その他電源
- クライオポンプ
- ターボ分子ポンプ
- ドライポンプ
- チラー
- 防塵衣
- エンドポイントモニタ
- ケーブル／光ファイバ
- 真空バルブ
- オーリング
- 真空シール／フランジ
- 真空開閉シャッタ
- ステージ（リニアモータ）
- リニアモータ駆動システム
- 静電チャック
- 熱電対／パイロメータ
- センサ（温度、湿度、圧力、流量など）
- 各種保護材料（消耗材料）
- ヒータ（蒸着装置向け）
- サセプタ（半導体にも追加）
- マスフローコントローラ
- ガスバルブ
- 薬液バルブ
- キャピラリ／ディスペンサ
- ノズル（スプレーノズル、スリットノズルなどを含む）
- インクジェットヘッド（ノズル）
- 薬液用ポンプ
- スペーサ供給ユニット
- コロナガン
- テフロン（半導体グレード）
- SUS（半導体グレード）
- 大気ロボット
- 真空ロボット
- リニアモータ搬送システム
- 制御ボード
- 制御用PLC（国内供給）
- 制御用パソコン（国内）
- モータ／サーボモータ
- RF電源／その他電源
- クライオポンプ
- ターボ分子ポンプ
- ドライポンプ
- チラー
- レーザ光源
- 赤外線検出器
- シリコン
- 化合物半導体
- マスク基板
- マスクブランクス
- フォトマスク
- g・i線レジスト／現像液
- KrFレジスト／現像液
- ArFレジスト／現像液
- AｒF液浸レジスト／現像液
- EUVレジスト／現像液
- ターゲット材
- CVD・ALD用成膜材料(High-k材料/low-k材料/その他）
- クリーニングガス
- めっき材料
- コーティング材料
- イオンドーピングガス
- 厚膜・その他レジスト
- エッチング液
- エッチングガス
- スラリー
- パッド
- パッドコンディショナ
- 洗浄液
- 超純水・機能水
- サブストレート（パッケージ基板）／インターポーザ
- TAB・COFテープ 接着剤 接着テープ
- 接着剤 接着テープ
- アンダーフィル
- ボンディングワイヤ
- リードフレーム
- はんだボール
- 封止樹脂
- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
- バックグラインディングプロセス用テープ/ウエハレベルCSP用裏面保護フィルム
- ダイシング／ダイボンディング用フィルム
- その他フィルム
- マスク基板
- マスクブランクス
- フォトマスク
- ガラス基板（液晶）
- ガラス基板（OLED用）
- Crガス、薬液、Si
- Cr、ITO
- カラーフィルタ用色材（カラーレジスト/顔料）、インクジェット用インク
- フォトレジスト、現像液
- 配向膜材料（SiO2）：CVDガス材料、ポリイミド（樹脂）
- 液晶材料
- スペーサ材料（シリコン球）
- シール（封止）材（接着剤）／メインシール材／仮接着剤
- 液晶注入口封止材（紫外線硬化樹脂材料）
- 偏光フィルム
- 基板（仮配置基板）
- ポリイミド樹脂
- 正孔注入層材（有機膜）
- 正孔輸送層材（有機膜）
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 高分子有機EL材料
- 有機EL材料（蒸着用）
- 蒸着材料
酸化抑制プロセスによる高濃度ボディ層を有するSiC(0001)
京大、立木 馨大
シリコンカーバイド
基本情報
SiC MOSFETの性能向上にはSiC/SiO2界面準位の低減が重要である。本研究では、水素処理、SiO2の堆積、窒化処理の3ステップが移動度向上に効果的であることを示した。特にアクセプタ密度が高いSiC MOSFETにおいて、この酸化抑制プロセスを適用することで、移動度が2倍以上向上した。さらにアクセプタ密度が1×1017〜3×1017 cm-3の範囲では、H2-CVD-NO素子がOx-NO素子と比較して約1.5倍の移動度を示し、1×1018 cm-3以上の高いアクセプタ密度では6倍以上の移動度向上が見られた。この高い移動度は、界面欠陥やラフネスによる電子の捕獲・散乱を抑制することで得られると考えられ、特に無極性面の高ドープH2-CVD-NO素子で顕著であった。この結果は、SiC MOSFETの設計において、界面準位の管理がいかに重要かを示している。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
酸化抑制プロセスによる高濃度ボディ層を有するSiC(0001) へのお問い合わせ
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酸化抑制プロセスによる高濃度ボディ層を有するSiC(0001)
