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二次元電子ガスを有さない薄層AlGaN/GaNヘテロ構造へのオーミック接触に対する多端子ホール測定

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

アドバンテスト研究所、瓜生 和也

窒化物半導体

基本情報

　GaN系FETのノーマリーオフ動作を実現するためにゲートリセスエッチングが一般的に用いられるが、この方法はドライエッチングによるダメージやエッチング深さの精密制御が必要という課題がある。代替手法として、2DEG（二次元電子ガス）を持たない薄層AlGaN/GaNヘテロ構造を使用し、アクセス領域に2DEGを選択的に誘起することで、エッチング不要のノーマリーオフFETが実現されている。本研究では、2DEGを持たないヘテロ構造にオーミック接触を形成する機構を解明するために、多端子ホール測定を行い、オーミック金属下のヘテロ構造のシート抵抗、シートキャリア密度、移動度を評価した。その結果、オーミック金属下の薄層AlGaN/GaNヘテロ構造に2DEGが誘起されており、これにはオーミック金属がヘテロ構造に与える歪みによる分極ドーピングが寄与している可能性が示唆された。この発見は、ノーマリーオフFETの設計における新たな展開を示している。共著者：　瓜生和也/アドバンテスト研究所　Deng Yuchen/北陸先端科学技術大学院大学　南條拓真/三菱電機　古橋壮之/三菱電機　西川和康/三菱電機　鈴木寿一/北陸先端科学技術大学院大学

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業種：産業用電気機器  所在地：東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F

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1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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