グローバルの製品一覧

CuI を原料とする選択CVD 法によるShallow-trench 上へのCu 成長
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茨城大院、宮本 裕

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ヨウ化銅(I)を原料とするCVD 法によるビアホールの選択埋め込み
株式会社グローバルネット

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茨城大工、難波 拓?

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次世代配線材料としてのRu 薄膜の特性評価と密着性改善
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慶大理工、林 凌佑

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プラズマ活性化による表面改質とウエハ接合時の挙動解析
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横浜国大、尾形 崚太

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UV/Dry Air 処理による半導体基板上フッ素系ポリマー膜の除去
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熊大院自、小石 航平

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シリコン薄膜スーパージャンクション構造を用いた横型パワーMOSFET
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東大生研、李 珍秀

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超伝導量子ビット制御用クライオCMOS における高電圧nMOSFET の低温特性
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慶大理工、押尾 世文

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SADP 互換EB-R プロセスによるゲートパターン作製
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AIST SFRC、尹 成圓

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4H-SiC への<0001>方向チャネリングイオン注入:Si 面とC 面は同じか?
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名工大、加藤 正史

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ハイブリッド・ボンディングを適用した3 次元フラッシュメモリにおける貼り合わせ界面空隙の内圧低減技術開発
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キオクシア株式会社、大形 彩斗

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