グローバルの製品一覧
CuI を原料とする選択CVD 法によるShallow-trench 上へのCu 成長
グローバルネット株式会社
茨城大院、宮本 裕
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無電解めっきによるCoMn 拡散バリア膜形成の検討
グローバルネット株式会社
関西大システム理工、新宮原 正三
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ハイブリッド・ボンディングを適用した3 次元フラッシュメモリにおける貼り合わせ界面空隙の内圧低減技術開発
グローバルネット株式会社
キオクシア株式会社、大形 彩斗
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顕微ラマン分光法によるTSV 周辺Si 歪の横方向分布評価
グローバルネット株式会社
明治大理工、藤森 涼太
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シリコン薄膜スーパージャンクション構造を用いた横型パワーMOSFET
グローバルネット株式会社
東大生研、李 珍秀
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高発光強度FLA を用いたMo の低抵抗化
【この成果は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業」（JPNP20017）の助成事業の結果得られたものである】
グローバルネット株式会社
株式会社SCREEN セミコンダクターソリューションズ、吉田侃生
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超伝導量子ビット制御用クライオCMOS における高電圧nMOSFET の低温特性
グローバルネット株式会社
慶大理工、押尾 世文
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SADP 互換EB-R プロセスによるゲートパターン作製
グローバルネット株式会社
AIST SFRC、尹 成圓
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ヨウ化銅（I）を原料とするCVD 法によるビアホールの選択埋め込み
グローバルネット株式会社
茨城大工、難波 拓?
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MOSFET雑?の広帯域計測とその温度依存性に関する考察
グローバルネット株式会社
（株）デバイスラボ、??利 健治
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990…
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