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4H-SiC への<0001>方向チャネリングイオン注入:Si 面とC 面は同じか？

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2025年08月19日

名工大、加藤 正史

SiC
チャネリングイオン注入
SIMS分析

基本情報

　4H-SiCの深部ドーピング手法としてチャネリングイオン注入が注目されている。本研究では、Si面とC面でのAlイオン注入の分布を比較し、チャネリング効果を調査した。SIMS分析の結果、Si面ではC面よりも深くイオンが分布し、チャネリングの影響が顕著だった。これはSiとCの面密度の差や自然酸化膜の影響に起因すると考えられる。Si面を用いることでチャネリングイオン注入の効果がより発揮されるため、デバイス製造に適していることが示唆された。

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グローバルネット株式会社

業種：産業用電気機器  所在地：東京都 港区中央 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2025年には創業35年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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