ゲートの製品一覧
GaN 自立基板上に作製したmist-Al2O3/n-GaN 構造の評価
グローバルネット株式会社
熊本大、谷田部 然治
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Improved quality and interface of Al2O3 towards quiet Ge-based spin qubit environment
グローバルネット株式会社
東工大、Chutian Wen
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通電劣化を抑制したダブルインプラSiC スーパージャンクションUMOSFET
グローバルネット株式会社
産総研、竹中 研介
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ミニマルHfNx 反応性スパッタ装置の開発
グローバルネット株式会社
産総研、野田 周一
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GaN-HEMT の過電圧印加時破壊過程のデバイス依存
グローバルネット株式会社
九大、齋藤 渉
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二次元電子ガスを有さない薄層AlGaN/GaNヘテロ構造へのオーミック接触に対する多端子ホール測定
グローバルネット株式会社
アドバンテスト研究所、瓜生 和也
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i 線ステッパーによる100 nm 級AlGaN/GaN デュアルゲートHEMT の作製
グローバルネット株式会社
名大、安藤 裕二
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多端子C–V 法を用いたAlSiO/AlN/p 型GaN-MOSFET の禁制帯中準位の評価
グローバルネット株式会社
豊田中研、成田 哲生
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EID AlGaN/GaN MOS-HEMT のゲート電極直下の電子状態解析
グローバルネット株式会社
三菱電機、南條 拓真
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ミニマル液体ドーパント・プロセスを用いたMOSFET のシート抵抗の面内均一化
グローバルネット株式会社
ミニマルファブ推進機構、中道 修平
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