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GaN 自立基板上に作製したmist-Al2O3/n-GaN 構造の評価

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月26日

熊本大、谷田部 然治

GaN

基本情報

　GaN系半導体の次世代インバータには、低リーク電流、低界面準位密度、高寿命、高安定動作が求められる。本研究では、GaN基板上にエピタキシャル成長したn-GaN層に、低コストで酸化物薄膜を形成可能なミストCVD法を用いてAl2O3ゲート絶縁膜を堆積し、そのAl2O3/n-GaN界面特性を評価した。作製したMist-Al2O3/GaNキャパシタは絶縁膜容量まで達するC–V特性が得られ、比較的良好なAl2O3/GaN界面が得られている可能性が示唆されている。

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グローバルネット株式会社

業種：産業用電気機器  所在地：東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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