半導体用語集
選択CVDプロセス
英語表記：selective CVD process
CVD法で膜を形成するプロセスでは、特定の条件下でその成長速度が強い下地依存性を持つ反応系が存在する。この現象を利用して、特定の下地領域のみに選択的に膜形成を行うプロセスを選択CVDプロセスという。具体例では、WF6をH2やSiH4で遠元してW膜を形成する系、あるいはDMAH (Dimethy-Aluminum-Hydri-(de)の熱分解でAl膜を形成する系で、導電層上のみに膜成長が起こり Si02膜上では膜成長が起こらない選択性の条件が存在することが知られている。
選択性を利用した半導体製造プロセスへの応用例としては、コンタクトホールやビアホールのみにWや膜を成長させてメタルプラグを形成するプロセスや、MOSトランジスタのソース・ドレインゲート上のみに金属膜を成長させて低抵抗化を実現した事例がある。これらは、デバイスの特定領域のみに自己整合的に膜形成を行えるという選択CVDプロセスの特徴を応用したもので、製造プロセス上大きなメリットがえられる。反面、選択CVDプロセスでは、選択性の破れが生じる場合があるという弱点がある。これが起こると、半導体デバイスの歩留りを著しく低下させることになるため、制御性の確保が重要なポイントとなっている。前述したメタルプラグ形成プロセスでは、選択CVDプロセスで金属獏を形成した後にCMP (化学的機械研磨)を追加することで、選択性の破れを救済する検討もなされている。
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