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通電劣化を抑制したダブルインプラSiC スーパージャンクションUMOSFET

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

産総研、竹中 研介

SiC

基本情報

 SiCデバイスにおいて、スーパージャンクション(SJ)構造は耐圧を保ちながらドリフト層の抵抗を低減できることが実証されています。Semi-SJ構造を持つSiC-SJ-MOSFETは、従来のSiCトレンチゲート型MOSFET(UMOS)と比較して、175℃でのオン抵抗が55~67%低下する。また通電劣化(バイポーラ劣化)が起きにくい特徴を持つが、1500A/cm2まで通電した場合にVfが変動する問題があった。ダブルインプラ型のSemi-SJデバイスは、通電後もVfが安定しており、キャリア寿命の短縮による安定化が考えられる。

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グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社(GNC)は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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