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GaN-HEMT の過電圧印加時破壊過程のデバイス依存

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

九大、齋藤 渉

ガノンヘムト

基本情報

　GaN-HEMTは、低オン抵抗と高速スイッチングにより、効率的な電力変換を可能にするパワーデバイスとして注目されているが、高電圧が印加されるとアバランシェ降伏により破壊するリスクがある。この研究では、過電圧印加時のGaN-HEMTの破壊過程がデバイス構造に依存することを明らかにしました。Schottky-p gateとOhmic-p gateの両素子は過電圧ストレスにより破壊したが、破壊箇所は異なり、Schottky-p gateではゲート部が、Ohmic-p gateではAlGaN/GaN結晶成長層が破壊した。これはアバランシェ降伏によって発生したホールが排出されにくい箇所で破壊が起こることを示唆している。この知見は、GaN-HEMTの信頼性向上に向けた設計の参考になる。

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グローバルネット株式会社

業種：産業用電気機器  所在地：東京都 中央地区 港区 1-2-10 堀川ビル6F

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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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