移動度の製品一覧
量子補正モンテカルロシミュレーションによるInAsSb HEMT の特性予測
グローバルネット株式会社
東理大先進工、児玉 直也
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Si?Ge ヘテロ構造体内のLi イオン拡散速度についての第一原理計算
グローバルネット株式会社
株式会社トクヤマ、小泉 健一
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Improved quality and interface of Al2O3 towards quiet Ge-based spin qubit environment
グローバルネット株式会社
東工大、Chutian Wen
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酸化抑制プロセスによる高濃度ボディ層を有するSiC(0001)
グローバルネット株式会社
京大、立木 馨大
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光電気化学エッチングを施したp-GaN MOS 界面の特性に対する界面形成プロセスの影響
グローバルネット株式会社
北大、焦 一寧
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二次元電子ガスを有さない薄層AlGaN/GaNヘテロ構造へのオーミック接触に対する多端子ホール測定
グローバルネット株式会社
アドバンテスト研究所、瓜生 和也
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多端子C–V 法を用いたAlSiO/AlN/p 型GaN-MOSFET の禁制帯中準位の評価
グローバルネット株式会社
豊田中研、成田 哲生
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印刷とパルスレーザーアニールによるGe 基板上へのGeSn 薄膜成長
グローバルネット株式会社
名大、佐藤 剛志
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多結晶Ge 系IV 族半導体薄膜の電気的特性制御
グローバルネット株式会社
筑波大、野沢 公暉
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N 極性面GaN/AlN 高電子移動度トランジスタのGaN チャネルの最適化
グローバルネット株式会社
山口大、藤井 開
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