半導体用語集
移動度
英語表記：mobility
金属に弱い電場を印加すると、金属中の電子はフェルミエネルギーで激しくプラウン運動をしながら電界方向に徐々に移動する。 これを電場によるキャリアのドリフトという。 一方、半導体に弱い電場を加えた時には、半導体中の電子は熱エネルギーで激しくプラウン運動をしながら電場方向に徐々にドリフトする。これらいずれの場合も、一般にプラウン運動をする速度に比べて電場方向のドリフト速度はきわめて小さい。このような場合、電子がフォノンや不純物原子に散乱されて次に散乱されるまでの時間がきわめて短いために、散乱がもたらす粘性抵抗力が電場が電子に及ぼす力に等しくなり、電子は一定速度で電場方向にドリフトする。この場合の単位電場当たりの電子のドリフト速度をドリフト移動度または単に移動度という。ドリフト移動度μは、電子の有効質量をｍ、フォノンや不純物原子などによる電子の散乱に起因する電子の運動量の緩和時間をτ、電子の電荷qとすれば、qτ/mと表わされる。また、電気伝導度σは、電子の密度をｎとすれば、ｎqμと表される。正孔の場合も同様の表現が成立する。金属や半導体中のキャリアが電場で加速されることにより流れる電流をドリフト電流という。電場をEで表わすと、ドリフト電流密度はｎqμEと表わされる。
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