半導体用語集
飽和電流
英語表記：saturation current
FETの動作は、ドレイン電圧について三つの領域に分けられる。（1)まず、ドレイン電圧を0Vから上昇させていくと、ドレイン電流はそれに比例して増加する（線形領域）。（2)次に、ドレイン電圧がある値に近づくと、ドレイン電流の増加率が減少し、ある一定の値に近づく。この電流値のことを飽和電流（Idsat）といい、この領域を飽和領域という。線形領域から飽和領域へ移るドレイン電圧をニー電圧（knee voltage）という。（3)さらにドレイン電圧を上昇させると、ドレイン電流は急激に上昇を始める。これがブレイクダウン領域で、飽和領域からブレイクダウン領域に移るドレイン電圧を耐圧（breakdown voltage）という。飽和電流の値はゲート電圧（Vgs）としきい値電圧（Vth）によって決まり、MESFETではIdsat∝(Vgs-Vth)²、高電子移動度トランジスタ（HEMT）の場合は、Idsat∝(Vgs-Vtc）と近似できる。
ドレイン電圧の変化に対する、ドレイン電流の変化率をドレインコンダクタンス、あるいはチャネルコンダクタンス（gd）という。すなわち、gd＝(∂Id/∂Vds)vgs=const 。理想的には飽和領域においてはドレインコンダクタンスは0になる。ゲート長が小さくなると、飽和領域においてもドレイン電流は完全には飽和せず、ドレイン電圧とともに漸増する。
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