半導体用語集
デルタドープ
英語表記：δ-dope
エピタキシャル成長におけるドーピングの手法の一つ。プレーナドープ、パルスドープとも呼ばれる。通常のドーピング（バルクドープ）では、結晶成長中にホストとなる材料の原料を供給しながらドーパントの原料も供給する。それに対し、デルタドープでは、結晶成長中にドーピングを行いたい箇所でホスト材料の原料の供給をいったん停止し、 ドーパントの原料のみを一定時間供給し、再びホスト材料の原料を供給する。ドーパントが数原子層という薄い領域に高濃度に分布した結晶がえられる。
高電子移動度トランジスタ (HEMT)においては、ゲートからチャネルまでの距離が小さいほど伝達コンダクタンスを高くすることができ、また短チャネル効果を抑制することができる。ゲートとチャネルの間には、キャリアを供給するためのドーピング層が存在するが、これをデルタドープとすることでゲート・チャネル間の距離を小さくし、HEMTの高性能化を図ることができることから広く用いられるようになった。
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