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- 接着剤 接着テープ
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N 極性面GaN/AlN 高電子移動度トランジスタのGaN チャネルの最適化
山口大、藤井 開
窒化物半導体
基本情報
N面AlGaN/GaN/AlN HEMT構造は、AlN下地層を使用することでGaNが圧縮応力を受け、高耐圧と高放熱性を実現し、高出力と高温動作が可能である。しかし電流値が低いという課題があり、GaN層の成長においてキャリアガスの比率（F値）を調整し、電気的特性の向上を図った。F値を0.47に設定した際に電流値が最大となり、移動度も最高値を示した。これによりF値の調整がGaNチャネル層の電気的特性に重要な影響を与えることが明らかになった。この研究はN面HEMT構造の性能向上に寄与する可能性を示している。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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