移動度の製品一覧
極性反転層を用いた高品質Ｎ極性面AlN 上GaN/AlN HEMT の性能改善
グローバルネット株式会社
山口大、Aina Hiyama Zazuli
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Si/Ge/SiO2 の低温成長とその構造及び電気特性評価
グローバルネット株式会社
山梨大、近藤 弘人
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表面電位測定による多結晶Ge 薄膜の粒界特性評価
グローバルネット株式会社
筑波大、前田 真太郎
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GaInSb HEMT のバリア層薄膜化による真性遅延時間低減
グローバルネット株式会社
東京理科大、河野 亮介
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The Study of Electrical Characteristics of GaN MIS-HEMT at Cryogenic Temperature
グローバルネット株式会社
International College of Semiconductor Technology
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SPICE シミュレーションを用いた縦型GaN MOSFET の損失解析と性能予測
グローバルネット株式会社
名大、岡 徹
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β-(Al0.17Ga0.83)2O3 電界効果トランジスタ(MESFET)の電気的特性評価
グローバルネット株式会社
筑波大、森田 燎
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