カテゴリー
- 真空バルブ（ゲートバルブ、ベンドロールバルブ）
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- 熱電対／パイロメータ
- センサ（温度、湿度、圧力、流量など）
- 各種保護材料（消耗材料）
- ヒータ（蒸着装置向け）
- サセプタ（半導体にも追加）
- マスフローコントローラ
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- 薬液用ポンプ
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- テフロン（半導体グレード）
- SUS（半導体グレード）
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- 真空ロボット
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- シリコン
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- ArFレジスト／現像液
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- CVD・ALD用成膜材料(High-k材料/low-k材料/その他）
- クリーニングガス
- めっき材料
- コーティング材料
- イオンドーピングガス
- 厚膜・その他レジスト
- エッチング液
- エッチングガス
- スラリー
- パッド
- パッドコンディショナ
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- 超純水・機能水
- サブストレート（パッケージ基板）／インターポーザ
- TAB・COFテープ 接着剤 接着テープ
- 接着剤 接着テープ
- アンダーフィル
- ボンディングワイヤ
- リードフレーム
- はんだボール
- 封止樹脂
- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
- バックグラインディングプロセス用テープ/ウエハレベルCSP用裏面保護フィルム
- ダイシング／ダイボンディング用フィルム
- その他フィルム
- マスク基板
- マスクブランクス
- フォトマスク
- ガラス基板（液晶）
- ガラス基板（OLED用）
- Crガス、薬液、Si
- Cr、ITO
- カラーフィルタ用色材（カラーレジスト/顔料）、インクジェット用インク
- フォトレジスト、現像液
- 配向膜材料（SiO2）：CVDガス材料、ポリイミド（樹脂）
- 液晶材料
- スペーサ材料（シリコン球）
- シール（封止）材（接着剤）／メインシール材／仮接着剤
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- 基板（仮配置基板）
- ポリイミド樹脂
- 正孔注入層材（有機膜）
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- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 高分子有機EL材料
- 有機EL材料（蒸着用）
- 蒸着材料
SPICE シミュレーションを用いた縦型GaN MOSFET の損失解析と性能予測
名大、岡 徹
GaN
基本情報
GaNは高耐圧と高移動度を持つ材料で、横型AlGaN/GaNパワーデバイスが電力変換器の効率向上に貢献している。しかし縦型GaN MOSFETはSiCと比べてまだ優位性を示していない。この研究では基板、チャネル、ドリフト層の抵抗を大幅に低減するSPICEモデルを作成し、スイッチング損失の解析と性能予測を行った。650V級ではチャネル抵抗の低減が最も効果的で、1200V級ではドリフト抵抗の低減が顕著であった。全ての抵抗を低減できれば、650V級でスイッチング損失を43%、全損失を22%、1200V級ではスイッチング損失を43%、全損失を32%削減できることが示された。これにより縦型デバイスの性能向上が期待される。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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