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SPICE シミュレーションを用いた縦型GaN MOSFET の損失解析と性能予測

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年08月30日

名大、岡 徹

GaN

基本情報

 GaNは高耐圧と高移動度を持つ材料で、横型AlGaN/GaNパワーデバイスが電力変換器の効率向上に貢献している。しかし縦型GaN MOSFETはSiCと比べてまだ優位性を示していない。この研究では基板、チャネル、ドリフト層の抵抗を大幅に低減するSPICEモデルを作成し、スイッチング損失の解析と性能予測を行った。650V級ではチャネル抵抗の低減が最も効果的で、1200V級ではドリフト抵抗の低減が顕著であった。全ての抵抗を低減できれば、650V級でスイッチング損失を43%、全損失を22%、1200V級ではスイッチング損失を43%、全損失を32%削減できることが示された。これにより縦型デバイスの性能向上が期待される。

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グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F

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1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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