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The Study of Electrical Characteristics of GaN MIS-HEMT at Cryogenic Temperature

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年08月30日

International College of Semiconductor Technology

GaN

基本情報

 GaNの高電子移動度トランジスタ(HEMT)は、従来のシリコンベースのデバイスと比較して、高いパワーと速度で動作できる優れた特性のため、多くのアプリケーションで使用されている。さらにGaNの広いバンドギャップにより、これらのデバイスは衛星、宇宙ステーション、宇宙探査機などの宇宙アプリケーションで非常に優れた耐放射線性を示します。最近、我がグループによってInAlGaN/GaNエピタキシャル構造を採用したHEMTが研究され、従来のGaN HEMTよりも高い電流密度を示した。しかし宇宙で信頼性高く動作させるためには、極低温下での電気的挙動を探る必要がある。この研究では室温から約15Kの極低温までの温度変化に伴うInAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体(MIS)-HEMTの電気特性を調査し。オン抵抗(Ron)は室温の480.8Ωから約15Kで232.6Ωに減少し、キャリア散乱の減少によりトランスコンダクタンス(Gm)も温度が下がるにつれて増加することがわかった。

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業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区湊 1-2-10 堀川ビル6F

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1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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