カテゴリー
- 真空バルブ（ゲートバルブ、ベンドロールバルブ）
- オーリング
- シール／フランジ
- 真空開閉シャッタ
- ステージ（リニアモータ）
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- センサ（温度、湿度、圧力、流量など）
- 各種保護材料（消耗材料）
- マスフローコントローラ
- ガスバルブ
- 薬液バルブ
- キャピラリー
- 薬液用ポンプ
- テフロン（半導体グレード）
- SASU（半導体グレード）
- 大気ロボット
- 真空ロボット
- リニアモータ搬送システム
- 制御ボード
- 制御用PLC（国内供給）
- 制御用パソコン（国内）
- モータ／サーボモータ
- RF電源／その他電源
- クライオポンプ
- ターボ分子ポンプ
- ドライポンプ
- チラー
- 防塵衣
- エンドポイントモニタ
- ケーブル／光ファイバ
- 真空バルブ
- オーリング
- 真空シール／フランジ
- 真空開閉シャッタ
- ステージ（リニアモータ）
- リニアモータ駆動システム
- 静電チャック
- 熱電対／パイロメータ
- センサ（温度、湿度、圧力、流量など）
- 各種保護材料（消耗材料）
- ヒータ（蒸着装置向け）
- サセプタ（半導体にも追加）
- マスフローコントローラ
- ガスバルブ
- 薬液バルブ
- キャピラリ／ディスペンサ
- ノズル（スプレーノズル、スリットノズルなどを含む）
- インクジェットヘッド（ノズル）
- 薬液用ポンプ
- スペーサ供給ユニット
- コロナガン
- テフロン（半導体グレード）
- SUS（半導体グレード）
- 大気ロボット
- 真空ロボット
- リニアモータ搬送システム
- 制御ボード
- 制御用PLC（国内供給）
- 制御用パソコン（国内）
- モータ／サーボモータ
- RF電源／その他電源
- クライオポンプ
- ターボ分子ポンプ
- ドライポンプ
- チラー
- レーザ光源
- 赤外線検出器
- シリコン
- 化合物半導体
- マスク基板
- マスクブランクス
- フォトマスク
- g・i線レジスト／現像液
- KrFレジスト／現像液
- ArFレジスト／現像液
- AｒF液浸レジスト／現像液
- EUVレジスト／現像液
- ターゲット材
- CVD・ALD用成膜材料(High-k材料/low-k材料/その他）
- クリーニングガス
- めっき材料
- コーティング材料
- イオンドーピングガス
- 厚膜・その他レジスト
- エッチング液
- エッチングガス
- スラリー
- パッド
- パッドコンディショナ
- 洗浄液
- 超純水・機能水
- サブストレート（パッケージ基板）／インターポーザ
- TAB・COFテープ 接着剤 接着テープ
- 接着剤 接着テープ
- アンダーフィル
- ボンディングワイヤ
- リードフレーム
- はんだボール
- 封止樹脂
- セラミックパッケージ
- フリップチップ用エポキシ樹脂封止材
- バックグラインディングプロセス用テープ/ウエハレベルCSP用裏面保護フィルム
- ダイシング／ダイボンディング用フィルム
- その他フィルム
- マスク基板
- マスクブランクス
- フォトマスク
- ガラス基板（液晶）
- ガラス基板（OLED用）
- Crガス、薬液、Si
- Cr、ITO
- カラーフィルタ用色材（カラーレジスト/顔料）、インクジェット用インク
- フォトレジスト、現像液
- 配向膜材料（SiO2）：CVDガス材料、ポリイミド（樹脂）
- 液晶材料
- スペーサ材料（シリコン球）
- シール（封止）材（接着剤）／メインシール材／仮接着剤
- 液晶注入口封止材（紫外線硬化樹脂材料）
- 偏光フィルム
- 基板（仮配置基板）
- ポリイミド樹脂
- 正孔注入層材（有機膜）
- 正孔輸送層材（有機膜）
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 電子注入層材料（有機膜、金属化合物薄膜
- 高分子有機EL材料
- 有機EL材料（蒸着用）
- 蒸着材料
The Study of Electrical Characteristics of GaN MIS-HEMT at Cryogenic Temperature
International College of Semiconductor Technology
GaN
基本情報
GaNの高電子移動度トランジスタ（HEMT）は、従来のシリコンベースのデバイスと比較して、高いパワーと速度で動作できる優れた特性のため、多くのアプリケーションで使用されている。さらにGaNの広いバンドギャップにより、これらのデバイスは衛星、宇宙ステーション、宇宙探査機などの宇宙アプリケーションで非常に優れた耐放射線性を示します。最近、我がグループによってInAlGaN/GaNエピタキシャル構造を採用したHEMTが研究され、従来のGaN HEMTよりも高い電流密度を示した。しかし宇宙で信頼性高く動作させるためには、極低温下での電気的挙動を探る必要がある。この研究では室温から約15Kの極低温までの温度変化に伴うInAlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体（MIS）-HEMTの電気特性を調査し。オン抵抗（Ron）は室温の480.8Ωから約15Kで232.6Ωに減少し、キャリア散乱の減少によりトランスコンダクタンス（Gm）も温度が下がるにつれて増加することがわかった。
取扱企業
グローバルネット株式会社
業種：産業用電気機器 所在地：東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F
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グローバルネット株式会社（GNC）は出版やセミナーを通して、半導体やフラットパネルディスプレイの情報をタイムリーに提供することを目的に1990年に設立しました。そして2020年には創業30年を迎えます。
1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。
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