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Si/Ge/SiO2 の低温成長とその構造及び電気特性評価

グローバルネット株式会社
最終更新日: 2024年09月24日

山梨大、近藤 弘人

Ge薄膜

基本情報

 非晶質基板上での半導体薄膜成膜において、低温プロセスでのキャリア移動度向上とリーク電流低減が重要で、本研究ではガラス基板上に低温で形成したGe多結晶膜を下地層として使用し、その上に多結晶Si膜を成膜した。400℃以下のプロセスで作製したp型TFTは、5桁のON/OFF比を達成し、正孔移動度は約10 cm²/Vsと推定された。Ge下地層の膜厚を減らすことで表面ラフネスが低減され、電気的特性が改善されることが示されたが、膜厚が極端に薄い場合は膜質が低下することも明らかになった。この結果から、Ge膜厚が電気的特性と結晶性を制御する上で重要なパラメータであることが示唆された。

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グローバルネット株式会社

業種:産業用電気機器  所在地:東京都 中央区港 1-2-10 堀川ビル6F

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1994年にCMPプラナリゼーション委員会の事務局として活動する機会を経て、会員の皆様にCMP向け層間絶縁膜用テストウエハの提供を始めたことがきっかけとなり、テストウエハの試作・加工ファンドリビジネスに参入、事業化を致しました。

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